8月份,SK海力士全球首家宣布了321层堆叠的NAND闪存,首次突破300层,但是要到2025年上半年才会量产

一直处于存储一哥位置的三星坐不住了,因为原本规划2024年量产的第9代V-NAND闪存只有280层左右,2025-2026年的第10代则突破到430层以上。

被反超显然是三星不能忍的。

三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露,第9代V-NAND进展顺利,将在明年初量产,基于双堆栈架构,达成业界最高堆叠层数。

他没有披露具体的层数,但此前就有说法称,会提高到300层以上,能不能超过SK海力士的321层不好说,但至少在近期是新高。

显然,三星给第9代闪存加码了。

SK海力士全球首创321层闪存!三星:明年我就超300层  第1张