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涨幅10%!又一存储巨头调涨NAND晶圆 模组龙头着手重建库存  第1张

《科创板日报》9月6日讯(编辑 郑远方)知名分析师分析师郭明錤日前发文称,紧跟三星8月的涨价步伐,美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价,涨幅在10%左右。其认为,此举将有助于改善美光下半年获利。

另外,郭明錤补充称,DRAM方面,美光有望最快自2023年Q42024年Q1起受益于三项趋势:英特尔新平台Meteor Lake推动DDR5渗透率加速增长,AI服务器强劲需求推升HBM出货,品牌与处理器厂在设备上推广大模型、有利于DDR/LPDDR规格升级。

在此之前,三星已下令暂停第六代VNAND成熟型制程产品报价,低于1.6美元者全面停止出货。已有两大厂商私下证实,并表示“先前该产品1.451.48的美元低价位,未来不会再出现了”。

市场研究机构TrendForce日前报告也指出,近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。

8月下旬NAND Flash原厂进一步与部分中国指标模组厂议定新一笔晶圆订单,并成功拉抬512Gb晶圆合约价,涨幅约10%,其他原厂亦跟进将同级产品价格提升,显现原厂不愿再低价成交,从而带动晶圆现货市场近期出现短期涨势。

由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力,模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。

金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。

▌一线存储厂相继减产 NAND Flash调整周期尾声将至

存储行业寒风呼啸已久,推进库存去化、供需平衡,都离不开供应商对产能的控制。三星、SK海力士、美光均计划减产NAND Flash。

其中,三星已制定生产计划,目标年底NAND库存正常化(68周水平)。今年年初,三星NAND库存水位超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至18周。据悉,三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%,目前公司减产的主要目标是128层第6代VNAND(V6),该产品库存较多。

TrendForce数据则显示,三星最初减产幅度为25%,第四季可能扩大到35%,代表目前市况供过于求压力仍大。原厂若不积极应对,即便下半年需求会温和复苏,NAND Flash相关产品价格要落底反弹也有困难。因此,目前一线NAND Flash原厂均积极减产控制供给,力求止跌,避免价格持续破底。

展望2024年,TrendForce预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估2024上半年,消费电子市场需求能见度仍不明朗,通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱,有鉴于2023年基期已低,加上部分存储器产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。

方正证券指出,供给端加速收缩、限制低价供应,进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计,随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布,原厂出货压力将逐步缓解,NAND Flash调整周期尾声将至。

来源:财联社

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